金属电子逸出功测定仪 测定仪 型号：W-Ⅲ

[仪器特点]

1、数据采集采用四块三位半数字表**立显示，无需另接测量仪表，数据稳定精确

2、实验器材全面，采用优良接插件

[实验目的]

1、 了解热电子发射的基本规律

2、 用理查孙直线法测定金属钨电子的逸出功 <或逸出电位 >

3、 研究二管的伏安特性

4、 用磁控条件测量电子荷质比

5、 学习避开某些不易测常数而直接得到结果的实验方法

[技术参数]

（1）数据采集：四块三位半数字表分别显示灯丝电流、阳电压、阳电流、磁控电流

（2）理想二管：纯钨丝

（3）灯丝电流：DC 0～0.750 A，连续可调，精度：1mA，三位半数字显示

（4）阳电压：DC 0～199.9V，连续可调，精度：0.1V，三位半数字显示

（5）阳电流：测量范围：0～1999uA，精度：1uA，三位半数字显示

（6）磁控电流：DC 0～0.800 A，连续可调，精度：1mA，三位半数字显示

（7）电源主机尺寸：330mm（W）×300mm（D）145（H）mm

[仪器组成]

1、TC-W-Ⅲ 金属电子逸出功测定仪 电源主机 1台

2、金属电子逸出功测试台（包含理想二管） 1台

3、理想二管磁控线圈 1只

4、实验连接线 8根

5、使用说明书 1本

6、产品合格证 1只

7、三相电源线 1根

8、保险丝（1A） 2只

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